公开/公告号CN110487788A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-11-22
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院金属研究所;
申请/专利号CN201910631742.7
申请日2019-07-12
分类号
代理机构沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人张志伟
地址 110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
入库时间 2024-02-19 16:06:58
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-17
实质审查的生效 IPC(主分类):G01N21/84 申请日:20190712
实质审查的生效
2019-11-22
公开
公开
机译: 具有小的散射(SiC),折射率差和小角度晶界数量的二氟化钙单晶,可用于生产计算机芯片和电子电路
机译: 用镍基高温合金制成的铸铁工件和铸造单晶工件,用于生产单晶-具有较小角度的物体-晶界-公差
机译: 控制在晶界处和晶界附近的添加剂的溶解度的方法,以及使用该方法制造具有大晶粒度的烧结核燃料颗粒的方法