公开/公告号CN110506455A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-11-26
原文格式PDF
申请/专利号CN201880021568.8
申请日2018-04-03
分类号
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人赵晶
地址 日本三重县
入库时间 2024-02-19 16:06:58
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-20
实质审查的生效 IPC(主分类):H05K1/11 申请日:20180403
实质审查的生效
2019-11-26
公开
公开
机译: 带有Ag底层的金属构件,带有Ag底层的绝缘电路基板,半导体装置,带有散热器的绝缘电路基板,以及带有Ag底层的金属构件的制造方法
机译: Ag底层附着的金属构件,Ag底层附着的绝缘电路基板,半导体装置,热沉附着的绝缘电路基板以及制造Ag底层附着的金属构件的方法
机译: 具有Ag基底层的金属构件,具有Ag基底层的绝缘电路基板,半导体装置,具有散热器的绝缘电路基底,以及具有Ag基底层的金属构件的制造方法