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一种基于中红外漫反射光谱技术的β-HMX晶型纯度检测方法

摘要

本发明属于技术领域,具体涉及一种基于中红外漫反射光谱技术结合化学计量学偏最小二乘法的β‑HMX晶型纯度检测方法。该检测方法采用中红外漫反射光谱技术结合化学计量学偏最小二乘法建立β‑HMX晶型纯度定量校正模型及相应的晶型纯度测试方法。所建多变量校正模型可以分析重叠光谱和宽谱带,适用于含有α‑HMX杂质晶型的β‑HMX产品的晶型纯度分析。

著录项

  • 公开/公告号CN110530817A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-12-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安近代化学研究所;

    申请/专利号CN201910829216.1

  • 申请日2019-09-03

  • 分类号

  • 代理机构中国兵器工业集团公司专利中心;

  • 代理人祁恒

  • 地址 710065 陕西省西安市雁塔区丈八东路168号

  • 入库时间 2024-02-19 15:57:53

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-12-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N21/3563 申请日:20190903

    实质审查的生效

  • 2019-12-03

    公开

    公开

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