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多级相变存储器的读出电路及读出方法

摘要

本发明提供了一种多级相变存储器的读出电路及读出方法,涉及微电子技术领域,解决了传统方法无法读出多级相变存储单元存储的多位数据的技术问题。本发明提供的多级相变存储器的读出方法应用于存储有N位二进制数据的相变存储单元,读出方法按照由高位到低位的顺序逐位读取目标相变存储单元的N位二进制数据,读出方法包括N个阶段,第M阶段包括步骤:获取目标相变存储单元当前状态所对应的读电流;获取参考电流,其中,当M=1时选择起始参考电流,当M>1时根据之前读出的数据位选择对应阶段的参考电流;比较读电流和对应阶段的参考电流,获得读出电压信号;处理读出电压信号,获得二进制数据的第N‑M+1位数据信号;其中,1≤M≤N。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-01-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C13/00 申请日:20190819

    实质审查的生效

  • 2019-12-27

    公开

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