用于允许通过振幅调制增强离子能量的等离子体处理腔室的离子能量分布操纵的方法和设备

摘要

本文考虑用于增强离子能量的方法和设备。在一个实施例中，方法和装置包括控制器、具有经配置成处理晶片的对称等离子体源的工艺腔室、耦合至工艺腔室以产生等离子体密度的一个或多个特高频(VHF)源以及两个或更多个频率发生器，所述两个或更多个频率发生器相对于耦合至工艺腔室的底部电极的一个或多个VHF源产生低频，两个或更多个低频发生器经配置成耗散等离子体鞘中的能量，其中控制器控制一个或多个VHF源产生VHF信号且控制两个或更多个低频源产生两个或更多个低频信号。