声明
摘要
1 绪论
1.1 等离子体技术的工业应用
1.2 加工基板偏压研究进展
1.3 脉冲调制等离子体研究进展
1.4 离子能量和角度分布研究进展
1.5 本文研究内容和结构安排
2 数值模型介绍
2.1 反应器模型
2.2 鞘层混合模型
2.2.1 流体模型
2.2.2 蒙特卡洛方法
3 脉冲偏压Ar/C4F8等离子体的多尺度模拟
3.1 离子能量分布(IED)
3.1.1 脉冲偏压波形对IED的影响
3.1.2 放电参数对IED的影响
3.2 离子角度分布(IAD)
3.2.1 脉冲偏压波形对IAD的影响
3.2.2 放电参数对IAD的影响
3.3 本章小结
4 脉冲调制射频Ar/Cl2等离子体的多尺度模拟
4.1 放电参数对离子密度分布的影响
4.2 离子能量分布和角度分布(IEAD)
4.2.1 脉冲偏压波形的影响
4.2.2 放电参数的影响
4.3 本章小结
结论与展望
参考文献
攻读硕士学位期间发表学术论文情况
致谢