用于受控形成含氧薄膜的等离子体增强沉积方法

摘要

提供了用于在反应空间中的衬底上控制含氧薄膜诸如碳氧化硅(SiOC)和碳氮氧化硅(SiOCN)薄膜的形成的方法。所述方法可以包括至少一个等离子体增强原子层沉积(PEALD)循环，所述循环包括使所述衬底与包含氧的硅前体和不含氧的第二反应物交替且依次地接触。在一些实施方案中，可以从一定范围中选择所述等离子体功率以实现沉积在三维特征上的膜的期望的阶梯覆盖率或湿法蚀刻速率比(WERR)。