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一类多电平逆变电路拓扑结构

摘要

本发明公开了一类多电平逆变电路拓扑结构,包括:第一开关器件、第二开关器件和多个双向导通开关模块,其中,第一开关器件和第二开关器件均为IGBT反并联二极管;多个双向导通开关模块的每个双向导通开关模块由两个IGBT反并联二极管的开关器件反串联组成,或者由两个IGBT串联二极管的开关器件反并联组成,或者由两个双向导通的逆阻型IGBT反并联组成,或者为一个维也纳电路模块,器件选型从外侧向中心成对称分布。该拓扑结构可以减少多电平变换电路的开关器件,降低成本且减小开关损耗,并具有开关器件数量少的优点。

著录项

  • 公开/公告号CN110460258A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-11-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;

    申请/专利号CN201910775044.4

  • 发明设计人 李永东;徐晓娜;王奎;郑泽东;

    申请日2019-08-21

  • 分类号

  • 代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人王艳斌

  • 地址 100084北京市海淀区清华园

  • 入库时间 2024-02-19 15:48:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-12-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):H02M7/483 申请日:20190821

    实质审查的生效

  • 2019-11-15

    公开

    公开

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