公开/公告号CN110473588A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-11-19
原文格式PDF
申请/专利权人 山东华芯半导体有限公司;
申请/专利号CN201910751725.7
申请日2019-08-15
分类号G11C29/42(20060101);G11C16/26(20060101);G11C16/30(20060101);
代理机构37218 济南泉城专利商标事务所;
代理人赵玉凤
地址 250101 山东省济南市高新区新泺大街1768号齐鲁软件园大厦B座二层
入库时间 2024-02-19 15:48:45
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-13
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C29/42 申请日:20190815
实质审查的生效
2019-11-19
公开
公开
机译: 一种用于减少混合DRAM / NAND存储器中的读校正写入开销的方法,以及用于该目的的存储器高速缓存控制器。
机译: 在NAND闪存阵列中应用读电压的方法
机译: 一种减少移动数据存储器的电流消耗的方法,该方法在具有至少一个读/读设备和移动数据存储器的识别系统中的应用