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一种SSD中在线校准NAND Flash读参考电压的方法

摘要

本发明公开一种SSD中在线校准NAND Flash读参考电压的方法,本方法充分考虑NAND Flash特性,利用偏移读取的方法,通过在线扫描NAND Flash参考电压,在不影响数据内容的前提下,提升了数据的稳定性。本方法考虑到在线校准对SSD性能的影响,设置偏移读取的次数,在读取次数达到设置值仍存在校验错误时,将该block数据搬移到新的block。

著录项

  • 公开/公告号CN110473588A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-11-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 山东华芯半导体有限公司;

    申请/专利号CN201910751725.7

  • 发明设计人 刘凯;王璞;

    申请日2019-08-15

  • 分类号G11C29/42(20060101);G11C16/26(20060101);G11C16/30(20060101);

  • 代理机构37218 济南泉城专利商标事务所;

  • 代理人赵玉凤

  • 地址 250101 山东省济南市高新区新泺大街1768号齐鲁软件园大厦B座二层

  • 入库时间 2024-02-19 15:48:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-12-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C29/42 申请日:20190815

    实质审查的生效

  • 2019-11-19

    公开

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