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应用于SSD的NAND FLASH控制器的设计

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摘要

第一章 绪论

1.1 课题背景

1.2 国内外概况

1.3 课题主要研究内容和主要目标

1.4 本文组织结构

第二章 NAND FLASH控制器的分析研究

2.1 NAND闪存特性分析

2.1.1 NAND FLASH存储的基本原理

2.1.2 NAND FLASH内部组织结构

2.1.3 NAND FLASH芯片数据接口

2.1.4 NAND FLASH芯片基本操作与时序

2.2 SSD特点分析

2.2.1 并行总线技术

2.2.2 pipeline技术

2.3 NAND FLASH控制器结构

2.4 本章小结

第三章 NAND FLASH控制器异步模式的设计

3.1 NAND FLASH控制器的整体设计

3.2 NAND FLASH控制器各个子模块的设计实现

3.2.1 总线接口子模块

3.2.2 shift子模块

3.2.3 FIFO子模块

3.2.4 NAND FLASH接口子模块

3.2.5 异步模式命令控制子模块

3.2.6 ECC管理子模块

3.3 本章小结

第四章 NAND FLASH控制器同步模式的设计

4.1 NAND FLASH控制器同步模式简介

4.1.1 同步模式的优点

4.1.2 NV-DDR/NV-DDR2数据接口简介

4.1.3 ONFI NAND FLASH控制器同步模式的设计难点

4.2 NAND FLASH控制器同步模式的设计方案

4.2.1 ONFI同步模式命令控制子模块的设计

4.2.2 数据转换模式的设计

4.2.3 FIFO子模块的设计方案

4.3 “伪DMA”操作的引进

4.3 改进的结果

4.4 本章小结

第五章 NAND FLASH控制器的仿真

5.1 NAND FLASH控制器的功能仿真

5.1.1 功能仿真的软硬件环境

5.1.2 功能仿真的实现过程

5.1.3 仿真结果

5.2 NAND FLASH控制器的性能测试

5.2.1 性能测试的环境

5.2.2 性能测试简介

5.2.3 性能测试的结果

5.3 本章小结

第六章 总结与展望

致谢

参考文献

作者简介

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摘要

当今的数字时代对数据存储的大容量、高速度的需求不断提高,传统的机械硬盘(HDD,HardDiskDisk)已不能满足这样的需求,在这样的情况下固态硬盘(SSD,SolidStateDisk)应运而生。固态硬盘主要采用NANDFLASH作为存储单元,而控制芯片主要用于NANDFLASH的管理,NANDFLASH控制器的好坏将直接影响控制芯片的好坏,进而影响固态硬盘的性能。
  本论文研究了应用于SSD的NANDFLASH控制器的实现方案,完成了控制器的设计并进行了系统的验证。为了提高SSD中的FLASH接口的数据带宽本控制器采用8通道8级流水线操作来控制FLASH芯片组。实现方案中将控制器分成了以下几部分:总线接口子模块、FIFO子模块、shift子模块、命令控制子模块、NANDFLASH接口子模块、ECC管理子模块。除ECC子模块外其他部分主要用来实现命令的解析和时序参数的配置。本控制器支持DMA操作,支持burst4、burst8、burst16传输。为了提高少量数据操作时的性能,本控制器支持“伪DMA”操作,通过CPU和DMA接口的混合使用来提高数据传输率,经过测试,在少量数据操作时其可以将效率提升10倍。另外本控制器可以对每个通道单独操作,可以在不浪费存储空间的前提下进行少量数据的写入。本控制器支持传统的和ONFI标准的NANDFLASH。用触发器、延时单元和多路选择器来满足同步接口的数据发送时序;用正沿触发器和负沿触发器、延时单元来满足同步接口的数据接收时序。
  本论文中的NANDFLASH控制器支持绝大多数传统的NAND闪存和ONFI3.1标准的NAND闪存,从而很好地实现了本控制器的通用性。经过测试,本控制器对八路并行NANDFLASH的读速率达到了500MB/s、写速率达到了450MB/s,完全可以满足SSD的需求。在ECC纠错的可靠性及时序配置的易操作性上也达到了预期的目标。

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