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改进的离子束蚀刻反应腔及执行蚀刻过程的方法

摘要

本申请涉及改进的离子束蚀刻反应腔及执行蚀刻过程的方法。在一些实施例中,本揭露涉及一种离子束蚀刻设备。所述离子束蚀刻设备包含:衬底固持件,其放置于处理反应腔内;及等离子体源,其与所述处理反应腔连通。真空泵借助于入口耦合到所述处理反应腔。一或多个隔板布置于所述衬底固持件与所述处理反应腔的下表面之间。副产物再分配器经配置以将来自蚀刻过程的副产物从所述一或多个隔板的外部移动到所述一或多个隔板正下方。

著录项

  • 公开/公告号CN110544612A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-12-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN201910117604.7

  • 发明设计人 谢得贤;曾李全;

    申请日2019-02-15

  • 分类号

  • 代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人龚诗靖

  • 地址 中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号

  • 入库时间 2024-02-19 15:39:38

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-12-31

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J37/32 申请日:20190215

    实质审查的生效

  • 2019-12-06

    公开

    公开

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