公开/公告号CN110544612A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-12-06
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN201910117604.7
申请日2019-02-15
分类号
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人龚诗靖
地址 中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号
入库时间 2024-02-19 15:39:38
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-31
实质审查的生效 IPC(主分类):H01J37/32 申请日:20190215
实质审查的生效
2019-12-06
公开
公开
机译: 离子枪,离子束蚀刻装置,离子束蚀刻设备,蚀刻方法以及磁记录介质的制造方法
机译: 符合多种材料目标蚀刻过程测量标准的气体簇离子束蚀刻过程
机译: 反应性离子或离子束蚀刻石英或石英玻璃以进行成型或结构化,在惰性材料制成的设备中使用含氟蚀刻气体以及其他含氟和/或氢气体