首页> 中国专利> 三硼酸锂晶体表面增透膜膜系及制备工艺

三硼酸锂晶体表面增透膜膜系及制备工艺

摘要

一种三硼酸锂晶体表面倍频增透膜膜系及制备工艺,该增透膜的膜系是G Gd

著录项

  • 公开/公告号CN1089167C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2002-08-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院福建物质结构研究所;

    申请/专利号CN94106609.6

  • 发明设计人 杨恕冰;张宝钦;

    申请日1994-06-29

  • 分类号G02B1/10;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 350002 福建省福州市鼓楼区山头角123号

  • 入库时间 2022-08-23 08:56:01

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2006-08-30

    专利权的终止未缴年费专利权终止

    专利权的终止未缴年费专利权终止

  • 2002-08-14

    授权

    授权

  • 1997-08-20

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

  • 1996-01-03

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号