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一种三硼酸锂晶体高激光损伤阈值增透膜的制备方法

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本发明公开了一种非线性晶体三硼酸锂晶体表面高激光损伤阈值增透膜的制备方法。针对LBO晶体各向异性强及增透膜的损伤机理，该方法的步骤包括LBO晶体表面采用IAD工艺镀SiO

著录项

公开/公告号CN106435487B

专利类型发明专利
公开/公告日2018-07-06

原文格式PDF
申请/专利权人同济大学;
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申请/专利号CN201610908397.3
发明设计人张锦龙;卜笑庆;焦宏飞;程鑫彬;王占山;
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申请日2016-10-10
分类号
代理机构上海正旦专利代理有限公司;
代理人张磊
地址 200092 上海市杨浦区四平路1239号
入库时间 2022-08-23 10:13:18

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-07-06

授权

授权
2017-03-22

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/30 申请日:20161010

实质审查的生效
2017-02-22

公开

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