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一种以柯恩达效应为原理的GaN防气体冲击装置

摘要

一种以柯恩达效应为原理的GaN防气体冲击装置,包括固定板,所述固定板的上表面固定安装有两个相对称的固定架,两个相对称的固定架之间活动安装有转筒,转筒的外表面开设有风槽,所述转筒的两端均固定安装有卡块。通过转筒、风槽、卡块、连接块与转轴的配合使用,可以有效的将激光在剥离GaN的过程中,利用柯恩达效应原理,将气流都分散到转筒的表面,保证了激光剥离工艺过程中产生的气体不会直接冲击GaN薄膜,对GaN薄膜具有一定的保护作用,同时,由于气流被分散到转筒的外表面,可以有效的保证由激光剥离工艺过程中产生的高温,给予降温,保证了GaN薄膜的使用寿命。

著录项

  • 公开/公告号CN110351953A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-10-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 赵真利;

    申请/专利号CN201910723308.1

  • 发明设计人 赵真利;

    申请日2019-08-06

  • 分类号H05K3/00(20060101);H05K3/22(20060101);

  • 代理机构11642 北京恒泰铭睿知识产权代理有限公司;

  • 代理人张克钊

  • 地址 528251 广东省佛山市南海区桂城街道佛平四路16号聚云商业中心3座

  • 入库时间 2024-02-19 15:21:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-11-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H05K3/00 申请日:20190806

    实质审查的生效

  • 2019-10-18

    公开

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