一种高增益带宽积的光探测器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种高增益带宽积的光探测器的制造方法，涉及光探测器技术领域，包括以下步骤：步骤S1，在衬底上，依次生长缓冲层、第一渐变层、有源层、第二渐变层、第一功能层、第二功能层、扩散控制层和顶层形成外延结构；步骤S2，对整个外延结构进行第一次锌扩散工艺，使锌扩散至扩散控制层；步骤S3，遮蔽部分外延结构，对未遮蔽部分外延结构进行第二次锌扩散工艺，使锌扩散至第二渐变层以形成TWSOA，被遮蔽部分外延结构形成WGAPD；步骤S4，刻蚀外延结构将TWSOA和WGAPD分离，并形成条形的TWSOA和WGAPD；步骤S5，分别制造TWSOA和WGAPD的电极。本发明还公开了一种高增益带宽积的光探测器。本发明的光探测器的增益带宽积能够达到1000GHz。