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基于忆阻器件过渡金属氧化物的碱性掺杂的忆阻器件

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摘要

忆阻器件包括第一导电材料层。氧化物材料层被布置在第一导电层上。第二导电材料层被布置在氧化物材料层上，其中第二导电层包括金属‑碱合金。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-03-13

专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L45/00 登记生效日:20200225 变更前: 变更后: 申请日:20180103

专利申请权、专利权的转移
2019-09-17

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L45/00 申请日:20180103

实质审查的生效
2019-08-23

公开

公开

1. 基于忆阻器件过渡金属氧化物的碱性掺杂的忆阻器件 [P] . 中国专利： CN110168761A . 2019-08-23
2. 基于金属氧化物氧浓度梯度的高性能忆阻器件及其制备 [P] . 中国专利： CN108807668A . 2018-11-13
3. Memristive device based on alkali-doping of transitional metal oxides [P] . 英国专利： GB201910618D0 . 2019-09-11

机译：基于过渡金属氧化物碱掺杂的忆阻器件
4. Memristive device based on alkali-doping of transitional metal oxides [P] . 美国专利： US10164179B2 . 2018-12-25

机译：基于过渡金属氧化物碱掺杂的忆阻器件
5. thermostable thermoplastic molding composition, use of metal oxide or salt thereof, transition metal group element vb, vib, viib and viiib of the periodic table, or mixture thereof, use of said composition, process for preparation of molded part, part molding and use of molded part [P] . BRPI0606592B1 . 2017-02-21

机译：热稳定的热塑性模塑组合物，金属氧化物或其盐的用途，元素周期表的过渡金属族元素vb，vib，viib和viib，或它们的混合物，所述组合物的用途，制备模塑零件的方法，零件模塑和用途成型件