晶片温度控制方法及温度控制系统、半导体处理设备

摘要

本发明公开了一种晶片温度控制方法及系统、半导体处理设备。方法包括：S110、接收晶片的当前位置；S130、根据当前位置，判断当前位置与目标位置之间的位置关系；当判定当前位置在目标位置之前或在目标位置之后，执行步骤S140；当判定当前位置与目标位置重合，执行步骤S150；S140、控制加热器以预定开环加热功率进行开环加热，并重复执行步骤S110至步骤S130；S150、控制加热器闭环加热，以使得晶片的实际温度值与预设温度值一致。能够有效减小加热器的温度波动，提高晶片的加工良率，并且在晶片离开目标位置后，能够迅速切断闭环加热时的加热功率，有效防止加热器按照闭环加热时的加热功率继续升温，从而可以缩短下一片晶片的工艺温度的准备时间。