一种大像元图像传感器中嵌入高密度叠层电容的结构

摘要

本发明提供一种大像元图像传感器中嵌入高密度叠层电容的结构，包括：有源区；位于该有源区中的光电二极管；光电二极管的上方的第一层间电介质；光电二极管上方的第一层间电介质中设有转移管；光电二极管两侧的区域为沟槽隔离区域；沟槽隔离区域设有叠层电容；叠层电容通过金属通孔接出。利用高k电介质及金属堆叠的叠层电容结构，可以充分利用大像元周围较宽的沟槽隔离区域来嵌入叠层电容，从而节省芯片面积与成本，易于集成，解决了大电容与芯片面积不兼容的矛盾。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。