一种定量探测半导体量子点载流子浓度分布的方法

摘要

本发明公开了一种定量探测半导体量子点载流子浓度分布的方法，包括如下步骤：利用原子力显微镜探测半导体量子点的表面形貌和尺寸，同时利用开尔文探针力显微镜探测单个量子点的接触功函数差信息；根据开尔文探针力显微镜图像的KFM信号与试样表面电势间的卷积关系，利用维纳滤波法从接触功函数差图像中提取出量子点的表面电势分布；根据静电场泊松方程，从量子点表面电势分布中定量提取出载流子浓度的分布信息。本发明为非接触式探测，无需电极，能够排除电极接触的影响；能够直接对单个半导体量子点进行探测，而常规探测手段只能给出大量量子点的统计平均值；适用于各种具有不同介电常数的半导体量子点材料。