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公开/公告号CN101611473B
专利类型发明专利
公开/公告日2012-09-05
原文格式PDF
申请/专利权人 克里公司;
申请/专利号CN200780049403.3
发明设计人 S·T·舍帕德;A·V·苏沃罗夫;
申请日2007-11-01
分类号
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人汤春龙
地址 美国北卡罗来纳州
入库时间 2022-08-23 09:11:08
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-09-05
授权
2010-02-17
实质审查的生效
2009-12-23
公开
机译: 半导体器件,包括用于与埋层和相关器件提供低电阻接触的注入区
机译: 包括用于向埋层和相关器件提供低电阻接触的注入区域的半导体器件的制造方法
机译: 制造包括注入区以形成与掩埋层和相关器件的低电阻接触的半导体器件的方法
机译:半导体器件关系在与日本半导体制造设备协会相关的第二年半导体器件的九十年半导体器件中的关系。预测
机译:开发用于评估具有接触压力的半导体器件的探测系统,该接触压力包括显微镜下的视野之外的接触点和接触点维护控制功能
机译:用于32 nm互补金属氧化物半导体器件的具有乙硼烷还原钨原子层沉积法的低电阻成核层的新型接触插拔工艺
机译:基于聚合物复合材料的低电阻接触层,其中包含专用于半导体器件的银纳米颗粒
机译:离子注入法制造半导体器件的研究
机译:接触印刷半导体纳米线的异构集成用于大面积的高性能器件
机译:用于半导体发光器件和半导体发光器件的量子朗之万方程 低注入水平的光子统计
机译:用于增加双极埋层集成电路器件对单事件扰乱的电阻的方法和装置