被形成以充当天线开关的半导体器件

摘要

公开用于增强天线开关的插入损耗性能的器件和方法。在一个实例中，公开一种被形成以充当天线开关的半导体器件。半导体器件包含：衬底、介电层以及多晶硅区。衬底包含：本征衬底；金属氧化物半导体器件，延伸到本征衬底中；以及至少一个隔离特征，延伸到本征衬底中且与本征衬底接触。至少一个隔离特征设置为邻近于金属氧化物半导体器件。