基于纳米转印技术在倾斜光纤端面上实现纳米盘阵列大面积制备的方法

摘要

本发明公开了一种基于纳米转印技术在倾斜光纤端面上实现纳米盘阵列大面积制备的方法，以超博多孔氧化铝（AAO）薄膜作为纳米压印模具，通过电子束蒸镀在硅片上制备有序排列的纳米盘阵列结构，最后通过纳米转印技术转印至斜面光纤端面上，自制的AAO膜纳米孔间距能够达到65nm空间分辨率，并能够实现纳米结构的大面积制备。本发明制作简单，成本低廉，不仅能够做到相对较高的空间分辨率，也能同时完成对纳米盘、纳米孔结构的大面积制备，应用前景十分广泛。