退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN110224061A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-09-10
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN201910141864.8
发明设计人 全洪植;唐学体;
申请日2019-02-26
分类号H01L43/08(20060101);H01L43/10(20060101);H01L43/12(20060101);G11C11/16(20060101);
代理机构44224 广州华进联合专利商标代理有限公司;
代理人刘培培;黄隶凡
地址 韩国京畿道水原市灵通区三星路129号
入库时间 2024-02-19 13:49:37
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-09-10
公开
机译: 用于提供畴壁辅助的磁性元件的切换的方法和系统以及使用这种磁性元件的磁性存储器
机译: 在可用于磁性设备中的基板上提供磁性连接和磁性存储器的方法和磁性连接
机译:用于减少开关场的材料和装置触发磁性随机存取存储器
机译:使用肖特基势垒的自旋传递转矩磁性随机存取存储器双向两端子切换装置
机译:用于光和高频微磁性装置的磁性物理结构磁性光子晶体和橡胶晶体,以及橡胶晶体的形成和应用
机译:用于磁性随机存取存储器的Co_2MnSi磁性膜的电感耦合等离子体反应离子刻蚀
机译:磁性随机存取存储器中使用的磁性薄膜的特性。
机译:固态纳米孔装置用于研究磁性纳米粒子的磁性
机译:具有10 µm周期微格的磁性微阱的磁性膜原子芯片装置,用于使用Rydberg原子的量子信息科学
机译:使用光学加入系统设计,开发和制造亚铁磁性存储器的可行性模型,用于读写功能最终报告