一种具有厚度梯度可变的氮化硅薄膜的制作方法

摘要

一种具有厚度梯度可变的氮化硅薄膜的制作方法,属于半导体技术领域的薄膜制备领域。所述具有厚度梯度的氮化硅薄膜为中间薄、边缘厚的凹形结构，其厚度从中间区域向边缘区域逐渐增加。本发明提供的一种具有厚度梯度的氮化硅薄膜的制备方法，通过在样品台上放置石英绝缘板，电隔绝等离子体增强化学气相沉积系统的阳极和阴极，使得半导体芯片中心位置处的射频偏压降低，从而显著降低中间区域的生长速率；而对于半导体芯片边缘区域，沉积的金属电极对电场的感应降低电位，相比中心位置增加了偏压，使得氮化硅薄膜的沉积速率明显高于中间区域的沉积速率，最终形成了中间薄、四周厚，具有厚度梯度的氮化硅薄膜。