多晶硅反应炉底盘表面、其涂层缺陷的修复方法以及修复涂层

摘要

本发明涉及涂层修复领域，具体而言，涉及一种多晶硅反应炉底盘表面、其涂层缺陷的修复方法以及修复涂层。该多晶硅反应炉底盘表面涂层缺陷的修复方法，包括以下步骤：利用冷喷涂将修复粉末喷涂至基体的缺陷区域，修复粉末的平均粒径是10‑100微米；冷喷涂的工艺条件为：工作气体压力为1‑7MPa，工作气体温度为200‑1100℃，喷涂距离为10‑100毫米，喷枪移动速度为10‑800mm/s。该工艺旨在改善现有技术修复后的涂层厚度不能超过0.5毫米的问题，特别是修复后涂层与原涂层连接效果差的问题。