耐辐射线金属氧化物半导体场效应晶体管

摘要

本发明涉及阻断由总剂量效应引起的泄漏电流路径并减少由单粒子效应引起的电流脉冲的影响的耐辐射线金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，上述耐辐射线金属氧化物半导体场效应晶体管包括：多晶硅栅极层(poly gate layer)，用于指定栅极(gate)区域及至少一个虚拟栅极(Dummy gate)区域；源极(source)及漏极(drain)；P+层及P‑有源层，在上述源极及漏极指定P+区域；以及虚拟漏极(Dummy Drain)，可施加电压。根据上述本发明，可提供在具有粒子辐射线和电磁波辐射线的辐射线环境下也可正常工作的电子部件。