耐辐射线三维金属氧化物半导体场效应晶体管

摘要

本发明涉及耐辐射线三维金属氧化物半导体场效应晶体管(3‑dimensional MOSFET)，为了使总剂量效应的影响和单粒子效应的影响最小化，提出选择性地追加虚拟漏极(Dummy Drain；DD)、N阱层(N‑well layer；NW)、深N阱层(Deep N‑well layer；DNW)及P+层(P+layer)中的至少一种的耐辐射线三维金属氧化物半导体场效应晶体管。