法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-10-15
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L45/00 申请日:20180306
实质审查的生效
2019-09-13
公开
公开
机译: 超晶格相变薄膜,具有低密度变化,相变存储器及其制备方法
机译: 掺杂的基于GE-SB的相变材料,相变存储器及其制备方法
机译: 技术领域[0001]本发明涉及一种用于制造层状超晶格材料的方法和包括该层状超晶格材料的电子器件的制造方法(制造层状超晶格材料和制造包括相同层的电子器件的方法)