绝缘栅介质层的制备方法及其碳化硅器件和碳化硅器件的制备方法

摘要

本发明公开了绝缘栅介质层的制备方法及其碳化硅器件和碳化硅器件的制备方法，其中绝缘栅介质层的制备方法包括在一个已完成清洗并已去除表面氧化物的SiC衬底上，以金属Al为靶材，以氩气为工作气体，以氮气为反应气体，在基底温度为300‑400℃条件下，对SiC衬底进行反应溅射镀膜来生长作为绝缘栅介质层的AlN薄膜；本发明所公开的碳化硅器件的制备方法，主要包括采用所述AlN薄膜作为绝缘栅介质层的制备方法；本发明所公开的碳化硅器件，采用AlN来作为SiC器件的绝缘栅介质层，降低了SiC的界面态密度，提高了栅介质层的质量，增强了SiC器件在高温高频应用领域的可靠性，从而提高了SiC器件的性能。