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公开/公告号CN110241383A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-09-17
原文格式PDF
申请/专利权人 杭州电子科技大学;
申请/专利号CN201910421414.4
发明设计人 郑辉;陈伟;张阳;郑鹏;郑梁;
申请日2019-05-21
分类号
代理机构浙江永鼎律师事务所;
代理人陆永强
地址 310018 浙江省杭州市下沙高教园区
入库时间 2024-02-19 13:17:43
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-10-15
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/04 申请日:20190521
实质审查的生效
2019-09-17
公开
机译: 增强六价铁氧体薄膜的c轴垂直取向的方法以及由此生产的六价铁氧体薄膜记录介质
机译: 一种紧凑的光学按键,基于二维光子晶体,具有弯曲的波导90与磁光学Ressoador铁氧体相连。
机译: 可调式支撑,具有支撑框架,可通过旋转螺母轴和扭矩限制衬套轴组合在二维平面内移动
机译:在纹理化底层上沉积具有低表面粗糙度的c轴取向BaM铁氧体层
机译:具有自偏置和低微波损耗的面内C轴取向钡铁氧体薄膜
机译:溅射制备的嵌有银纳米颗粒和团簇的c轴取向ZnO纳米薄膜的结构依赖性发光演化
机译:在优异的底层上沉积c轴取向的BaM铁氧体层,并具有优异的光滑表面
机译:超厚C轴取向钡铁氧体薄膜的形貌,结构和物理性能。
机译:外延生长的在薄膜平面中具有单轴轴的BaM六铁氧体薄膜用于自偏置器件
机译:化学计量变化对sHs法和传统陶瓷法制备Bam铁氧体形成的影响sHs和传统陶瓷工艺对Bam铁氧体生产的化学计量变化的影响
机译:具有C轴取向晶粒的BaFe(12-x)In(x)O19陶瓷铁氧体的磁滞特性