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拓扑优化的高界面填充结构

摘要

本公开提供了包括空隙体积至少为40%的层压材料的制品,所述层压材料具有晶格结构,所述晶格结构包括多个相互连接的支柱,所述支柱形成向三个维度或两者个维度延伸的一系列多面体,其中层压材料具有至少2.0界面/微米(μm)的界面密度。本公开还描述了形成所述制品的方法。

著录项

  • 公开/公告号CN110114210A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-08-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 莫杜美拓有限公司;

    申请/专利号CN201780080599.6

  • 发明设计人 克里斯蒂娜·A·罗玛瑟尼;

    申请日2017-11-02

  • 分类号B32B5/18(20060101);B32B15/04(20060101);B32B3/12(20060101);B32B3/20(20060101);C23C28/00(20060101);

  • 代理机构11400 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人方挺;黄谦

  • 地址 美国华盛顿州

  • 入库时间 2024-02-19 13:13:10

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-09-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):B32B5/18 申请日:20171102

    实质审查的生效

  • 2019-08-09

    公开

    公开

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