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用于量子位器件的具有顶部超导体层的封装衬底

摘要

用于量子位器件的具有顶部超导体层的封装衬底。一种示例性超导量子位器件封装,其包括:量子位管芯,该量子位管芯容纳超导量子位器件,该超导量子位器件包括至少一个谐振器;以及封装衬底,每个封装衬底具有第一面和相对的第二面。谐振器被布置在量子位管芯的第一面上。量子位管芯的第一面面向封装衬底的第二面并且通过第一级互连被附接到封装衬底的第二面。封装衬底的第二面包括面向谐振器的至少部分的超导体。这样的封装架构可以有利地允许降低设计复杂性和不期望的耦合,使得能够在封装的量子位管芯中包括更大数量的量子位器件,减少被用在封装衬底中的材料对谐振器性能的潜在负面影响,并且限制量子位退相干的一些源。

著录项

  • 公开/公告号CN110176532A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-08-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英特尔公司;

    申请/专利号CN201910125924.7

  • 申请日2019-02-20

  • 分类号

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人张凌苗

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2024-02-19 13:03:53

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-08-27

    公开

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