公开/公告号CN110176532A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-08-27
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN201910125924.7
申请日2019-02-20
分类号
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人张凌苗
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2024-02-19 13:03:53
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-08-27
公开
公开
机译: 具有顶部超导体层的qubit器件的封装基板
机译: 用于氮化镓基器件的多晶硅碳化硅衬底具有薄的蓝宝石层,该蓝宝石层设置在衬底的上表面上方,其中该层具有特定的厚度,并且上表面用于容纳器件的层
机译: 用于半导体器件的发射辐射的半导体器件包括:衬底,该衬底具有包含开口的掩模层;以及半导体层,该半导体层布置在衬底上的开口区域中以及掩模层上