公开/公告号CN110158034A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-08-23
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海技术物理研究所;
申请/专利号CN201910387884.3
申请日2019-05-10
分类号C23C14/16(20060101);C23C14/18(20060101);C23C14/34(20060101);C23C14/35(20060101);C23C14/58(20060101);
代理机构31311 上海沪慧律师事务所;
代理人郭英
地址 200083 上海市虹口区玉田路500号
入库时间 2024-02-19 13:03:53
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-09-17
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/16 申请日:20190510
实质审查的生效
2019-08-23
公开
公开
机译: 磁控共溅射制备金属掺杂ZnO薄膜的方法
机译: 磁控共溅射制备掺杂金属的ZNO薄膜的方法
机译: 公开了一种高熔点金属硅化物靶,其制备方法,高熔点金属硅化物薄膜以及半导体器件。高熔点金属硅化物靶是高熔点金属硅化物薄膜和高熔点金属硅化物薄膜。