公开/公告号CN110112010A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-08-09
原文格式PDF
申请/专利权人 哈尔滨工业大学;
申请/专利号CN201910407604.0
申请日2019-05-16
分类号H01G11/78(20130101);H01G11/14(20130101);H01G11/56(20130101);H01G11/26(20130101);H01G11/30(20130101);H01G11/32(20130101);H01G11/84(20130101);H01M10/04(20060101);
代理机构23206 哈尔滨龙科专利代理有限公司;
代理人高媛
地址 150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
入库时间 2024-02-19 12:50:05
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-09-03
实质审查的生效 IPC(主分类):H01G11/78 申请日:20190516
实质审查的生效
2019-08-09
公开
公开
机译: 包括具有去耦层的柔性衬底的半导体结构,包括该柔性衬底的器件以及形成该结构和器件的方法
机译: 用于抗反射的纳米结构的制造方法以及集成有抗反射纳米结构的光电器件的制造方法
机译: 柔性半导体器件封装的组合结构和运输柔性半导体器件的方法