兼具栅极电介质和刻蚀阻挡层功能结构的常关型功率器件及其制备方法

摘要

兼具栅极电介质和刻蚀阻挡层功能结构的常关型功率器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域。本发明通过在具有栅极p型盖帽层的常规高电子迁移率晶体管外延结构势垒层上方插入介质层和过渡层复合结构，从而增大栅区耐压和常关型操作阈值电压；栅极单晶材料过渡层设计可有效提高其上方p型盖帽层单晶外延质量，而厚的插入介质层设计可以防止栅区外侧p型盖帽层过刻蚀，保证二维电子气沟道具有不受损伤的沟道界面，从而保证器件优良的导通电流密度(或者导通电阻)特性。此外，本发明复合插入层结构设计能给器件制作过程带来较大的刻蚀工艺偏差容忍度，因此提高产品性能均匀性和成品率。