一种基于多个单值阻变存储器的多值阻变结构

摘要

本发明公开的一种基于多个单值阻变存储器的多值阻变结构，包括存储器单元和控制MOS管，所述存储器单元包括3个首尾连接的阻变存储器簇，且相邻两个阻变存储器簇之间形成一个节点，从而形成存储器单元的3个节点，三个节点分别连接该多值阻变结构的两个控制端口和控制MOS管的漏极，所述控制MOS管的源极连接该多值阻变结构的一个读写端口，所述控制MOS管的栅极连接该多值阻变结构的选择导通信号。本发明提供的一种基于多个单值阻变存储器的多值阻变结构，最大化的减小了MOS管的数量，从而减少了多值阻变结构的面积。