一种氧化镓基异质PN结二极管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种氧化镓基异质PN结二极管及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。针对现有技术中氧化镓基的二极管存在反向漏电流大、击穿电压低和可靠性差等不足的问题，提出在n型掺杂氧化镓耐压层和阳极电极之间设置p型氧化物半导体层。通过采用非晶或多晶的p型氧化物半导体层与单晶的n型掺杂氧化镓耐压层形成异质PN结，在充分发挥单晶氧化镓材料高耐压优势的同时，利用了非晶或多晶的p型氧化物半导体层空穴浓度高的优点，巧妙的规避了氧化镓材料的p型掺杂难题。实现的二极管器件具有反向漏电流低、耐压高和性能稳定的优点，且制备工艺简单。