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具有三个晶体管和两个电阻式存储器元件的电阻式随机存取存储器单元

摘要

一种ReRAM单元阵列具有行和列,并且包括用于每一行的第一和第二互补位线,用于每一列的第一、第二和第三字线以及用于每一行的源极位线。位于每一行和每一列的ReRAM单元包括:第一电阻式存储器元件,其第一端连接到其行的第一互补位线;p沟道晶体管,其源极连接到第一电阻式存储器元件的第二端、其漏极连接到开关节点、其栅极连接到其列的第一字线;第二电阻式存储器元件,其第一端连接到其行的第二互补位线;n沟道晶体管,其源极连接到所述第二电阻式存储器元件的第二端、其漏极连接到所述开关节点、其栅极连接到其列的第二字线;以及编程晶体管,具有连接到开关节点的漏极、连接到其行的源极位线的源极以及连接到其列的第三字线的栅极。

著录项

  • 公开/公告号CN110050305A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-07-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 美高森美SOC公司;

    申请/专利号CN201780060161.1

  • 发明设计人 J·L·麦科勒姆;V·赫克特;

    申请日2017-05-09

  • 分类号

  • 代理机构上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人杨丽

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2024-02-19 12:36:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-08-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C13/00 申请日:20170509

    实质审查的生效

  • 2019-07-23

    公开

    公开

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