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一种Ta/Mo双层膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种Ta/Mo双层膜的制备方法,包括如下步骤:1)采用磁控溅射技术,分别安装Ta对靶和Mo对靶;2)抽真空并并对基体进行加热;3)预热3)通入保护气体,并调节沉积气压;4)依次打开Ta靶和Mo靶电源,并调节溅射功率,依次在基底表面沉积Ta膜和Mo膜;5)关闭电源自然冷却至室温,得Ta/Mo双层膜。本发明涉及的制备工艺简单、操作方便,制备的涂层环境友好、硬度高,具有很好的应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN110172676A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-08-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉理工大学;

    申请/专利号CN201910301113.8

  • 申请日2019-04-15

  • 分类号C23C14/35(20060101);C23C14/16(20060101);

  • 代理机构42102 湖北武汉永嘉专利代理有限公司;

  • 代理人崔友明;李欣荣

  • 地址 430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

  • 入库时间 2024-02-19 12:31:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-09-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/35 申请日:20190415

    实质审查的生效

  • 2019-08-27

    公开

    公开

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