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非晶硅薄膜晶体管及其制作方法

摘要

一种非晶硅薄膜晶体管及其制作方法,其中所述非晶硅薄膜晶体管包括基板、栅极层、栅极绝缘层、有源层、源漏极层、N+掺杂层、绝缘保护层及钝化层。栅极层设置在所述基板上。栅极绝缘层设置在所述栅极层上。有源层设置在所述栅极绝缘层上。源漏极层设置在有源层上。N+掺杂层设置在所述有源层和所述源漏极层之间。绝缘保护层设置在所述源漏极层上,其中沟道开设在所述源漏极层之间并贯穿所述N+掺杂层和所述绝缘保护层。钝化层覆盖所述沟道和所述绝缘保护层上,其中所述绝缘保护层与所述源漏极层在所述沟道内齐平设置。借此,通过绝缘保护层保护源漏极层避免干刻时遭到刻蚀而损伤。

著录项

  • 公开/公告号CN110098259A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-08-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳市华星光电技术有限公司;

    申请/专利号CN201910283998.3

  • 发明设计人 李家鑫;

    申请日2019-04-10

  • 分类号H01L29/786(20060101);H01L21/336(20060101);

  • 代理机构44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙);

  • 代理人黄威

  • 地址 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号

  • 入库时间 2024-02-19 12:27:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-08-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/786 申请日:20190410

    实质审查的生效

  • 2019-08-06

    公开

    公开

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