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具有电荷转移和电荷存储能力的竖直传输门

摘要

在实施例中,一种图像传感器包括半导体区域;第一掺杂区域,设置在半导体区域之上;环形阱,设置在第一掺杂区域之上并且包围第一掺杂区域的部分;第二掺杂区域,形成在环形阱内并且设置在第一掺杂区域之上;以及第三掺杂区域,设置在第二掺杂区域之上。环形阱由被绝缘体包围的导体界定。导体连接到电压端子。第三掺杂区域比第二掺杂区域更重地被掺杂,第二掺杂区域比第一区域更重地被掺杂,并且都是相同的掺杂类型。环形阱内的第一掺杂区域和第二掺杂区域形成势垒,该势垒用于控制电荷载流子从第一掺杂区域到第三掺杂区域的转移。

著录项

  • 公开/公告号CN110098207A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-08-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 意法半导体(克洛尔2)公司;

    申请/专利号CN201910034935.4

  • 发明设计人 F·罗伊;

    申请日2019-01-15

  • 分类号

  • 代理机构北京市金杜律师事务所;

  • 代理人王茂华

  • 地址 法国克洛尔

  • 入库时间 2024-02-19 12:27:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-08-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/146 申请日:20190115

    实质审查的生效

  • 2019-08-06

    公开

    公开

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