HEK-TCNQ的光诱导电荷转移与HEK-DDQ的基态电荷转移

方奇; 许东; 于文涛; 雷虹; 左健; 马玉蓉; 李清山

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HEK-TCNQ的光诱导电荷转移与HEK-DDQ的基态电荷转移

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合成了电荷转移复合物HEK-TCNQ和HEK-DDQ(HEK=9-hydroxyethylcarbazole).拉曼光谱和吸收光谱测定表明:光电导为10-11S·cm-1的HEK-TCNQ在514.5nm激光照射下可发生电荷转移,生成HEK+TCNQ-,其光电导显著增大.X射线结构分析和红外光谱表明:HEK与DDQ之间基态电荷转移量为0.1～0.2.

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来源
《化学学报》 |1997年第3期|221-228|共8页
作者
方奇; 许东; 于文涛; 雷虹; 左健; 马玉蓉; 李清山;
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作者单位

山东大学晶体材料研究所;

电子工程系;

济南;

250100;

山东大学晶体材料研究所;

电子工程系;

济南;

250100;

山东大学晶体材料研究所;

电子工程系;

济南;

250100;

山东大学晶体材料研究所;

电子工程系;

济南;

250100;

中国科学技术大学结构分析开放研究实验室;

物理系;

合肥;

230026;

中国科学技术大学结构分析开放研究实验室;

物理系;

合肥;

230026;

中国科学技术大学结构分析开放研究实验室;

物理系;

合肥;

230026;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类化学;
关键词
HEK-TCNQ; HEK-DDQ; 合成; 结构; 电荷转移;

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