用于增强电荷载流子的迁移率的方法和设备

摘要

本发明用于增强电荷载流子的迁移率的方法和设备。一种集成电路可以包括两个类型的半导体器件。第一类型的器件可以包括金属栅极和以第一方式应变的沟道。第二类型的器件可以包括金属栅极和以第二方式应变的沟道。栅极可以共同地包括三种或者更少金属材料。栅极可以共享相同金属材料。一种在集成电路上形成半导体器件的方法可以包括分别在集成电路的与第一和第二栅极对应的第一和第二区域中沉积第一和第二金属层。