一种硅基MEMS闪耀光栅的制备方法

摘要

本发明涉及一种硅基MEMS闪耀光栅的制备方法，属于半导体加工技术领域，基于单晶硅的各向异性湿法腐蚀特性，通过将N型(111)硅片按特定切偏角(即闪耀角)进行切割，采用两次光刻腐蚀的方法，利用硅的慢腐蚀面(111)面相交形成闪耀光栅。采用本发明的方法制备硅基MEMS闪耀光栅，可以有效减小光栅顶部平台，改善闪耀光栅的形貌，提高光栅的衍射效率，实现任意闪耀角闪耀光栅的制备；同时还具有精度高、易集成、成本低、重复性好、适合批量生产等优点，制备得到的硅基MEMS闪耀光栅可广泛应用于各类光谱分析仪器中。