一种基于纳米簇绝缘层的高性能薄膜晶体管及制备方法

摘要

本发明公开了一种基于纳米簇绝缘层的高性能薄膜晶体管及制备方法，包括衬底、电极、绝缘层和半导体层；所述电极分为栅电极、源电极和漏电极；所述衬底上设置有绝缘层；所述绝缘层和衬底之间设置有栅电极；所述绝缘层上设置有半导体层；所述半导体层上设置有源电极和漏电极；具体步骤：1）清洗衬底；2) 生长栅电极；3）栅电极图案化；4）衬底亲水性处理；5）制备纳米簇材料；6）生长纳米簇绝缘层；7）生长半导体层。本发明半导体层的结合能较高，比较稳定，具有很高的抗偏压、抗辐射特性；制备中通过深紫外退火，起到提高整个器件性能、匹配柔性衬底温度的作用；本工艺流程具有工艺简单、可在空气中低退火温度下进行的优点，生产成本较低。