声明
第一章 绪论
1.1 引言
1.2 氧化物薄膜晶体管简介
1.3 非晶铟镓锌氧化物半导体材料
1.4 非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的研究现状
1.5 非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的应用
1.6 本论文研究的主要内容
第二章 薄膜晶体管的相关理论、制备与表征方法
2.1 a-IGZO TFT的工作原理与结构类型
2.2 薄膜晶体管的主要性能参数
2.3 薄膜样品的制备
2.4 图形化工艺
2.5 薄膜晶体管的测试手段
2.6 本章小结
第三章 单绝缘层a-IGZO TFT器件的制备与研究
3.1 ITO玻璃基片的切割与清洗
3.2 ITO玻璃基片的清洗
3.3 a-IGZO薄膜的磁控溅射制备与测试
3.4 反应磁控溅射氧化铝的制备与分析
3.5基于单Al2O3绝缘层的a-IGZO薄膜晶体管制备与分析
3.6 溶液法旋涂有机绝缘材料的制备与分析
3.7 基于旋转涂布法制备有机绝缘层薄膜的a-IGZO薄膜晶体管
3.8 本章小结
第四章 基于复合绝缘层材料的a-IGZO TFT器件制备与研究
4.1 结构设计
4.2 基于复合绝缘层薄膜的a-IGZO TFT器件的制备流程
4.3 基于复合绝缘层薄膜的a-IGZO TFT性能研究
4.4 不同溅射功率下复合绝缘层a-IGZO TFT器件的制备与研究
4.5 缓冲层对复合绝缘层a-IGZO TFT器件性能的影响
4.6 本章小结
第五章 结论与展望
5.1 结论
5.2 展望
致谢
参考文献
攻读硕士学位期间取得的成果