机译:机械应变对基于聚酰亚胺的纳米复合材料衬底上的顶部栅交错a-IGZO薄膜晶体管特性的影响
机译:沟道层厚度对顶栅交错微晶硅薄膜晶体管电学特性的影响
机译:具有分离通道和顶栅结构的可弯曲a-IGZO薄膜晶体管的电气特性
机译:机械应变对不锈钢箔上多晶硅薄膜晶体管特性的影响
机译:机械自立垂直集成的a-IGZO薄膜晶体管,其沟道长度为500 nm,位于自立式塑料箔上
机译:使用溅射沉积氧化锌制造的薄膜晶体管。
机译:热损坏微波退火具有高效的能量转换用于在柔性基板上制造高性能A-IGZO薄膜晶体管
机译:热损坏微波退火,具有高效的能量转换,用于在柔性基板上制造高性能A-IGZO薄膜晶体管