首页> 中国专利> 一种减少缓存中读/写竞争的方法和装置

一种减少缓存中读/写竞争的方法和装置

页面导航

摘要

本申请提供一种缓存，包括：存储一个或更多个标签地址的标签阵列；用于存储缓存控制信息的标签控制缓冲器；存储从存储装置获取的数据的数据阵列；以及，存储与写请求相关的信息的写缓冲器；其中，所述标签阵列被配置为独立于所述标签控制缓冲器访问，所述数据阵列被配置为独立于所述写缓冲器访问。

1. 一种减少缓存中读/写竞争的方法和装置 [P] . 中国专利： CN110023916A . 2019-07-16
2. 基于专用高速缓存组中的竞争性专用预取策略进行自适应性高速缓存预取以减少高速缓存污染 [P] . 中国专利： CN106164875A . 2016-11-23
3. Implementing hardware accelerator for storage write cache management for managing cache line updates for writes, reads, and destages in storage write cache [P] . 美国专利： US9940256B2 . 2018-04-10

机译：为存储写缓存管理实现硬件加速器，以管理存储写缓存中写，读和降级的缓存行更新
4. TECHNIQUES TO REDUCE READ-MODIFY-WRITE OVERHEAD IN HYBRID DRAM/NAND MEMORY, AND MEMORY CACHE CONTROLLER THEREFOR [P] . 日本专利： JP2018181336A . 2018-11-15

机译：减少混合DRAM / NAND存储器中读-写-写开销的技术及其存储器缓存控制器
5. Write congestion aware bypass for non-volatile memory, last level cache (LLC) dropping from write queue responsive to write queue being full and read queue threshold wherein the threshold is derived from latency of write to LLC and main memory retrieval time [P] . 美国专利： US10331582B2 . 2019-06-25

机译：非易失性存储器的写拥塞感知旁路，响应写队列已满和读队列阈值，从写队列中删除最后一级缓存（LLC），其中该阈值来自对LLC的写延迟和主存储器检索时间