公开/公告号CN109922898A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-06-21
原文格式PDF
申请/专利权人 东京毅力科创株式会社;
申请/专利号CN201780069183.4
申请日2017-11-09
分类号
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人蔡胜有
地址 日本东京都
入库时间 2024-02-19 12:09:05
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-11-19
实质审查的生效 IPC(主分类):B08B9/00 申请日:20171109
实质审查的生效
2019-06-21
公开
公开
机译: 制造用于半导体装置的基于碳硅烷的膜的方法以及用于半导体装置的基于碳硅烷的绝缘膜
机译: 清洁膜沉积设备的方法,干蚀刻膜沉积设备的方法以及包括基于清洁或干蚀刻方法的工艺的物品生产方法
机译: 清洁膜沉积设备的方法,干蚀刻膜沉积设备的方法以及包括基于清洁或干蚀刻方法的工艺的物品生产方法