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一种高灵敏度大动态范围的像素结构

摘要

本发明公开一种高灵敏度大动态范围的像素结构,包括浅沟槽隔离STI电容、自钳位光电二极管PPD、传输门TX、浮动扩散区FD以及复位管、源跟随器SF、行选管;所述自钳位光电二极管PPD经传输门TX与浮动扩散区FD连接,所述浮动扩散区FD经源跟随器SF与行选管连接,并连接复位管;其特征在于,所述浅沟槽隔离STI电容由重掺杂P阱和氧化硅隔离槽构成,所述浅沟槽隔离STI电容的上极板通过高动态范围HDR开关与浮动扩散区FD连接、下极板通过衬底与浮动扩散区FD相连,从而使浅沟槽隔离STI电容与浮动扩散区FD并联,以增加浮动扩散区FD的电容上限。本发明像素结构在噪声、尺寸等方面同样有着良好的性能。

著录项

  • 公开/公告号CN110071128A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-07-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津大学;

    申请/专利号CN201910175287.4

  • 发明设计人 高静;赵彤;徐江涛;聂凯明;

    申请日2019-03-08

  • 分类号H01L27/146(20060101);

  • 代理机构12107 天津市三利专利商标代理有限公司;

  • 代理人韩新城

  • 地址 300072 天津市南开区卫津路92号

  • 入库时间 2024-02-19 11:59:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-08-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/146 申请日:20190308

    实质审查的生效

  • 2019-07-30

    公开

    公开

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